С — 14…23; Q — 40.
КВ 102В: U — 45; С — 25…40; Q — 40.
КВ 104А: U — 45; С — 90…120; Q — 100.
КВ 105A:U — 90; С — 125…600; Q — 500.
КВ107А:U — 5,5…16; С — 10…40; Q — 20.
КВ107Г:U— 13…31; С — 30…65; Q — 20.
КВ110А:U — 45; С — 12…18; Q — 300.
• Стабилитроны
Данные приведены на рисунке Р-171.
С-15. Транзисторы
В разные годы существовали разные системы обозначения транзисторов, и многие приборы сохранили свое старое название. Как правило, оно начинается с букв П или МП, за ними стоит число со следующим значением: от 1 до 100 — маломощные германиевые НЧ транзисторы; от 101 до 200 — то же, кремниевые; от 201 до 300 — мощные германиевые НЧ транзисторы, от 301 до 400 — то же, кремниевые; от 401 до 500 маломощные германиевые ВЧ транзисторы; от 501 до 600 — то же, кремниевые; от 601 до 700 мощные германиевые ВЧ транзисторы. Ну, и в конце еще одна буква: разновидность прибора данного типа.
В 1964 году появилась система обозначений полупроводниковых приборов, которая в основных чертах существует и поныне. Первый элемент обозначения говорит о самом полупроводниковом материале: буква Г (цифра 1) означает германий, буква К (цифра 2) — кремний. Второй элемент (буква) означает: Д — диод; Т — транзистор, В — варикап (полупроводниковый конденсатор, емкость меняется с изменением питающего напряжения), Ф — фотоприбор, С — стабилитрон и т. д. У транзисторов третий элемент — трехзначное число — указывает группу прибора:
101–399 — маломощные транзисторы (до 0,3 Вт), в том числе 101–199 низкочастотные (до 3 мГц), 201–299 среднечастотные (до 30 мГц) и 301–399 высокочастотные (до 300 мГц);
401–699 — транзисторы средней мощности, в том числе 401–499 низкочастотные, 501–599 среднечастотные, 601–699 высокочастотные;
701–999 — мощные транзисторы (больше 1,5 Вт), в том числе 701–799 низкочастотные, 801–899 — среднечастотные и 901–999 — высокочастотные.
И опять же, как всегда, последняя буква — конкретный прибор среди транзисторов данного типа.
Приводим данные некоторых типов транзисторов (в квадратных скобках — схема выводов на К-6), в том числе самых «древних», это, в частности, позволит понять старые промышленные и любительские схемы и, в случае необходимости, перевести их на современную элементную базу.
Данные транзисторов, близких по названиям и параметрам, приведены в едином блоке, при этом приняты обозначения: U — допустимое напряжение между коллектором и эмиттером в вольтах, I — допустимый коллекторный ток в миллиамперах (там, где ток в амперах, рядом с цифрой стоит буква А), Р — допустимая мощность, рассеиваемая на коллекторе с радиатором и без него в милливаттах (там, где мощность в ваттах, стоит Вт), В — статический коэффициент усиления по току, Io — обратный ток коллектора в микроамперах, частота I в мегагерцах, на которой реальные усилительные свойства транзистора еще остаются достаточно высокими (это неофициальная характеристика, в официальных справочниках приводят граничные частоты по специально оговоренным условиям).
Вначале приводятся данные, характерные для всей данной группы, затем в скобках указаны отклонения от них для отдельных транзисторов. Так, например, обозначение U — 20 (А, Б — 30) означает, что для всех приборов данной группы с любыми буквами в конце допускается коллекторное напряжение 20 В, кроме приборов с последними буквами А и Б, для которых допускается 30 В; обозначение В — 10…15 (Б, Г — 20…30) говорит о том, что у всех приборов данной группы коэффициент усиления по току В лежит в пределах от 10 до 15, кроме приборов с последними буквами Б и Г, для которых коэффициент усиления лежит в пределах от 20 до 30.
Во многих случаях данные округлены и приводятся с точностью, приемлемой для любительского конструирования.
Вначале приводятся данные транзисторов р-n-р, а затем n-р-n и, наконец, полевых транзисторов (Т-303).
И еще одно важное примечание: названия совершенно одинаковых транзисторов могут начинаться с разных букв — П или МП, в этом отражена разница только в их внешнем оформлении, в конструкции корпуса. Во всех названиях приборов группы МП — П указана буква П; в тех случаях, когда в основном выпускались приборы типа МП, эти буквы указаны в скобках перед названием транзисторов.
• Германиевые р-n-р транзисторы
П4 [6]: U — 50 (В —35, Б — 60); I — 5 А; P — 25/3 Вт (А — 20/2 Вт); B — 15…35 (А — 5…20, Д — 30…70); Io — 500; f — 0,15. Корпус имеет приливы с отверстиями для крепления.
П13, П14, П15, П16 [2]: U — 15 (П14А, П14Б — 30); I — 150; P — 150 (П16 все — 200); В — 20…40 (П13 — 12), П16Б — 45…100; f — 0,5…1 — (П15, П15А, П16Б —2).
(МП) П20, П21 [3]: U — 20 (П21 все — 35, кроме Г, Д —30); I — 300 (П21, П21А — 500); Р — 150, В — 50…150 (П20Б, П21Д — 60…200); Io — 50; f — 1…1,5.
(МП) П25, П26 [3]: U — 40 (П26 все — 70); I — 400; Р — 200; В — 10…25 (А — 20…50, Б — 30…80); Io — 150; f — 0,2…0,5.
П27, П28 [3]: U — 5; I — 6; Р — 30; B — 20…200; Io–3; f — 1 (П28—5).
(МП) П39, П40, П41, П42 [3]: U — 30 (П40А — 30, П42 все— 15); I — 150; Р — 150 (П42 все — 200); В — 20…60 (П39 — 12, П42Б — 50-100); Io — 15 (П42 все —25); f — 0,5…1.
П201, П202, П203 [6]: U — 30 (П202, П203 — 55); I — 1,5 А (П202, П203 — 2 А); Р — 10/1 Вт; В — 20…40; Io — 400; f — 0,1.
П210 [5): U — 40(П210А — 65); I — 12 А; Р — 45/2 (П210, П210А — 60/10); В — 10…15; Io–8—15 мА; f — 0,1.
П213, П214, П215 [6]: U — 45 (П214 все — 60, П215 — 80); I — 5 А; Р — 10/1,5 Вт; В — 20…150 (П213Б, П214Б — 20…150; П214A — 50…150; Io — 150…300 (П1213А, П214В — 1…1,5 мА); f — 0,15.
П216, П217 [6]; U — 35 (П216Г, Д — 50, П217, П217А, Б — 45, П217В, Г — 60); I — 7,5 А; Р — 24/1,5 Вт; В — 15…40 (П216Б — 10, П216Г — 5, П217А — 20…60); Io–1,5–2,5 мА (П217 все — 0,4 мА); f — 0,1.
П401, П402, П403 [8]: U — 10, I — 20, Р — 100; В — 16…250; Io–5; f — 30 (П402 — 60, П403, П403А — 120).
П414, П415, П416, П420, П421, П422, П423 [9]: U — 10 (П416 все— 12); I — 10; Р — 100 (П420-П423 все — 50); В — 25…100 (П420, П421, П422А, П423А — 15, все другие А — 60— 120, все Б—100–200); Io–3…5; f — 60 (П415 все, П416Б — 120, П420, П421 — 30).
П601, П602 [7]: U — 25; I — 1 А; Р — 3/0,5 Вт; В — 40…100 (АИ — 40…250, П601 — 20); Io — 100…200; f — 30. Напряжение между эмиттером и базой до 0,5 В.
П605, П606, П607, П608, П609 [7]: U — 25 (П605 все, П608Б, П609Б — 40); I — 0,3 А (П605, П606 — 1,5 A); Р — 1,5/0,5 (П605, П606 — 3/0,5); В — 20…120 (П608А, П609 все — 80…240); Io–3 00 (П605, П606 — 2 мА); f — 30 (П607 — 60, П608 — 90, П609 — 120). Напряжение между эмиттером и базой не более 0,5 В.
ГТ108 [11]: U — 10; I — 50; Р — 75; В — 25…60 (В — 60 — 130, Г — 110–250); Io — 10; f — 0,5…1.
ГТ109 [12]; U — 6; I — 20; Р — 30; В — 30…80 (А — 20…60, ЕЖ — 50…100, В — 60…130, Г — 110…250); Io–5; f — 1.
ГТ115 [11]: U — 20; (Б, Г — 30); I — 30; Р — 50; В — 20…80 (В, Г — 60…150, Д — 125–250); Io — 40, f — 1.
ГТ305 [1]: U — 15; I — 40; Р — 75; В — 25…40 (Б — 50…500, В — 40…360); Io–5; f — 20.
ГТ308 [9]: U — 12; I — 50; Р — 150; В — 20…75 (Б — 50…120, В — 80…200); Io–5; f — 120 (А —90).
ГТ309 [1]: U — 10; I — 10; Р — 50; B — 20…70 (Б, Г, Е — 60…180), Io–5; f — 60 (Д, Е — 30, А, Б — 90).
ГТ310 [12]: U — 12; I — 10; Р — 20; В — 20…70 (Б, Д — 60…180); Io–5; f — 80 (В — 120, А, Б — 160).
ГТ313 [13]: U — 10; I — 10; Р — 100; В — 20…250; Io–5; f — 450 (Б — 650).
ГТ320 [9]: U — 9 (Б — 11, А — 12); I — 150; Р — 200; В — 80…250 (Б — 50…160, А — 20…80); Io — 10; f — 120 (Б — 190, В — 250).
ГТ321 [9]: U — 40 (А, Б, В — 50); I — 200; Р — 160; В — 20…60 (Б, Д — 40…120, В, Е— 80…200); Io — 500; f — 1.
ГТ322 [14]: U — 10 (Б — 6); I — 5; Р — 50; B — 20…70 (Б, Г, Е — 50…120); Io–4; f — 25.
ГТ328 [13]: U — 15; I —10; Р — 50; В — 20…200 (В — 10…50); Io — 10; f — 300 (А — 400).
ГТ346 [14]: U — 15;