β=1. Следовательно, эффективный квантовый выход солнечного элемента Qэф и коэффициент собирания носителей γ представляют собой практически одно и то же, поэтому обе эти величины будем теперь обозначать одинаково — коэффициент собирания Q.
Рис. 2.15. Относительное число фотонов, доходящих до слоя глубиной l в кремнии (а) и арсениде галлия (б), для различных длин волн:
1–0,5 мкм; 2–0,7; 3–0,8; 4–0,9; 5–0,95; 6–1,0; 7–1,05; 8–1,1;
1′ — 0,5; 2′ — 0,5; 3′ — 0,7; 4′ — 0,8; 5′ — 0,9 мкм
Коэффициент собирания (по определению, отношение числа избыточных носителей заряда, разделенных p-n-переходом, к числу созданных светом электронно-дырочных пар), так же как и токи через p-n-переход представляет собой сумму коэффициентов собирания носителей из р- и тг-областей по обе стороны р-n-перехода
QΣ=Qn+Qp=Iκ.3 /(1-r) qN1
где Iκ.3 определяется суммой электронного и дырочного токов из р- и n-областей, а распределение фотонов Ni солнечного света по глубине полупроводника l должно быть рассчитано, исходя из известной для данного полупроводника зависимости α (λ) (зависимости коэффициента поглощения α от длины волны λ).
Результаты таких расчетов, выполненные с использованием зависимости α(λ) для кремния и арсенида галлия, представлены на рис. 2.15.
Для качественной оценки собирания носителей заряда из разных областей солнечного элемента или полупроводникового фотоприемника полезны также следующие данные о глубине проникновения в кремний оптического излучения различной длины волны λ (мкм), определяемой величиной 1/а (мкм):
Примечание. Два последних значения 1/α вычислены по данным рис. 2.1 и 2.15.
В ряде работ получены наглядные формулы расчета Iκ.3(λ) и Q (λ), позволяющие затем сделать некоторые обоснованные упрощения при определении отдельных оптических и электрофизических параметров полупроводникового материала, как правило сильно изменившихся в готовом солнечном элементе (по сравнению с исходными значениями) в ходе многочисленных термообработок во время длительного процесса изготовления элементов. Исходным моментом при выводе этих формул служат уравнения непрерывности, записываемые без учета поля[5] и с учетом его: в уравнения включаются члены, описывающие возрастание концентрации неосновных носителей заряда в единице, объема полупроводника при диффузии из окружающих областей материала, а также определяющие количество неосновных носителей, теряемых за счет рекомбинации, выражающие процесс генерации избыточных неосновных носителей светом или отражающие влияние электростатического поля и его градиента.
Составляющая Iκ.3, обусловленная диффузионным током электронов через p-n-переход (считается, что распределение примесей в базе солнечного элемента равномерно и тянущее поле отсутствует), определяется при базовом слое p-типа выражением
Iκ.3б=qaLnN0 exp(-alп)/(1+aLn).
При базовом слое n-типа Ln в данном уравнении заменяется на Lp.
Это уравнение лежит в основе простого и достоверного метода определения диффузионной длины неосновных носителей в базовом слое солнечных элементов Ln (для базового слоя p-типа). Поскольку при измерениях Iκ.3 и Q в длинноволновой части спектра (длина волны около 1 мкм) поглощением в легированном слое можно пренебречь, то Iκ.3 и Q при этом обусловливаются базовым слоем. Например, спектральная зависимость коэффициента собирания представляется выражением
Q(λ) =aLn exp(-αlπ)/(1+αLn).
В современных солнечных элементах In≃0,15÷0,5 мкм и для λ=1 мкм αs1=80 см-1, следовательно, член exp (-aln) близок к единице. Предыдущая формула еще больше упрощается:
Ln=Q(λ)/α(1-Q(λ)).
Измерив Iκ.3 солнечного элемента и коэффициент отражения при λ=1 мкм и зная Ni (см. рис. 2.15), а также q, легко определить Q при λ=1 мкм и затем Ln. Для более точной оценки аналогичные измерения целесообразно выполнить на трех близких длинах волн (например, 0,95; 1,0 и, 1,05 мкм) и взять затем среднее значение диффузионной длины, рассчитанное по трем измерениям.
Более сложными являются случаи, когда L как в легированном, так и в базовом слое неравномерна по глубине в результате преднамеренного создания тянущего поля повышенной эффективности или вследствие неоднородного введения радиационных или термических дефектов. Истинную диффузионную длину области базового слоя, подвергавшейся радиационному облучению, можно определить, если известны эффективная (суммарная — в поврежденной и неповрежденной частях базового слоя) диффузионная длина и диффузионная длина в неповрежденном материале. В настоящее время исследовано также влияние неравномерного повреждения базового слоя на спектральную чувствительность.
В ряде работ рассмотрены различные способы определения отдельных параметров солнечного элемента при некоторых упрощающих условиях расчета и эксперимента.
Так, предложен метод оценки диффузионной длины неосновных носителей в легированном слое по сопоставлению расчетных (при изменении параметра ln/L) и экспериментальных распределений коэффициента собирания в коротковолновой области спектра в том случае, если глубина залегания p-n-перехода измерена предварительно.
По приведенным выше данным о глубине проникновения в кремний оптического излучения различной длины волны п из рис. 2.15 легко определить, какой длины волны оптическое излучение должно использоваться в таких экспериментах, чтобы избыточные носители создавались преимущественно в верхнем легированном слое элементов.
Глубина p-n-перехода может быть достаточно точно оценена методом послойного анодного окисления и травления, по окрашенному плоскому косому или цилиндрическому шлифу (сделанному, как правило, под углом 3° к поверхности элемента), по значению коэффициента отражения или пропускания p-n-перехода в инфракрасной области спектра с учетом глубины проникновения света и ориентировочно — по значению поверхностного слоевого сопротивления.
Анализируя отдельные (в основном коротковолновые) участки спектральной зависимости коэффициента собирания, можно оценить отношение S/D и при известном коэффициенте диффузии D получить значение скорости поверхностной рекомбинации 5, а также определить ln и Lp в легированном слое.
Интересен способ определения глубины залегания p-n-перехода или диффузионной длины неосновных носителей по положению максимума спектральной чувствительности на примере солнечных элементов из арсенида галлия. Предложен простой и удобный графический метод, позволяющий по тщательно измеренной спектральной зависимости коэффициента собирания при использовании ряда упрощающих предположений (однородные встроенные электрические поля и постоянные параметры носителей заряда) оценить с достаточной точностью такие характеристики солнечного элемента, как глубина залегания p-n-перехода, скорость поверхностной рекомбинации, диффузионные длины носителей заряда, напряженность электрического поля при определенном соотношении между геометрией солнечного элемента и электрофизическими свойствами.
Диффузионную длину неосновных носителей Lб в базовой области, получаемую по экспериментальным оптическим и фотоэлектрическим характеристикам солнечных элементов, полезно сравнить со значениями, определяемыми при облучении солнечных элементов гамма-квантами или электронами. Эти методы дают близкие значения L, но являются более удобными для непрерывных измерений характеристик солнечных элементов во время испытаний на радиационное облучение, имитирующее воздействие составляющих радиационных поясов Земли на солнечные батареи.
Спектральная чувствительность и коэффициент собирания солнечных элементов
Спектральная чувствительность солнечного элемента представляет собой спектральную зависимость его тока короткого замыкания, рассчитанного на единицу энергии падающего оптического излучения.
Для обычных, не прецизионных измерений спектральной чувствительности используется зеркальный монохроматор со стеклянной оптикой. Источником света служит обычно ленточная вольфрамовая лампа накаливания, тело накала которой с помощью зеркального эллиптического отражателя проецируется на входную щель прибора. Стабильность светового потока поддерживается за счет постоянства тока накала лампы, который контролируется амперметром.
Такая лампа дает возможность проводить измерения в видимой и инфракрасной областях спектра (до границы пропускания стекла). При измерениях в ультрафиолетовой области спектра от 0,4 до 0,3 мкм применяется лампа накаливания с увиолевым стеклом, цветовая температура которой 3200 К, а при измерениях в области длин волн менее 0,3 рекомендуется использовать водородную лампу, поскольку она дает сплошной спектр и отличается высокой (по сравнению с другими газоразрядными лампами) стабильностью. Рабочие щели монохроматора, как правило, изменяются от 1 мм для области спектра 0,4–0,5 мкм до 0,25 мм в области длин волн больше 0,9 мкм, с тем чтобы спектральная ширина щели оставалась постоянно в пределах 0,01—0,015 мкм. Изменение длины волны осуществляется небольшим поворотом зеркала, что позволяет выделяемому излучению любой длины волны проходить через призму с минимальным отклонением от первоначального пути.