Подсистема памяти МК семейства 68HC12/HCS12 включает четыре различных модуля памяти: энергонезависимая Flash-память программ, энергонезависимая EEPROM память данных, статическое ОЗУ и блок регистров специальных функций для управления режимами работы периферийных модулей. Расположение различных модулей памяти в адресном пространстве МК принято отражать на так называемой карте памяти. Карта памяти МК B32 представлена на рис. 4.11. Указанные на ней адреса будут действительны при выходе МК из состояния сброса. В ходе исполнения прикладной программы адресное пространство для каждого модуля памяти может быть изменено (см. 4.5.1.). Тогда для обращения к ячейкам памяти будут использоваться не указанные на рис. 4.11 физические адреса, а измененные виртуальные адреса.
Рис. 4.11. Карта памяти МК B32 в составе отладочной платы MC68HC912B32EVB
Микроконтроллер B32 предназначен для использования преимущественно в однокристальном режиме работы. Он содержит в себе 32Кб ПЗУ программ, 768 байт памяти типа EEPROM, 1Кб статического ОЗУ и 512 регистров управления.
Строго говоря, аббревиатура EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) обозначает энергонезависимую память с электрическим программированием и электрическим стиранием. Поэтому и резидентная память программ, выполненная на основе технологии FLASH, и энергонезависимая память данных должны быть характеризованы как EEPROM. Однако энергонезависимая память программ и энергонезависимая память данных отличаются по своим свойствам не только на уровне технологии изготовления, но и на уровне разработчика встраиваемых систем. Память типа Flash допускает выполнение операции стирания только над некоторым множеством ячеек, что неудобно при необходимости замены только одного байта информации. Энергонезависимая память данных позволяет стереть и потом запрограммировать один байт информации. Однако ячейки памяти с подобным свойством занимают значительную площадь полупроводникового кристалла МК, поэтому на их основе не может быть выполнена память программ большого объема. Во избежание путаницы у российских разработчиков принято использовать аббревиатуру EEPROM только для памяти с побайтным стиранием и побайтным программированием. А память со стиранием блоками обозначают как Flash, хотя и эта память по своим свойствам относится к EEPROM.
Используя МК от Freescale Semiconductor, в частности семейство 68HC12/HCS12 следует знать, что гарантированное число циклов стирания/программирования для МК HCS12 составляет 10000, а для МК 68HC12 — всего 100. Именно поэтому во многих отладочных средствах на основе МК 68HC12 рекомендуется промежуточные версии программы записывать и исполнять из ОЗУ. Поскольку резидентное ОЗУ у микроконтроллеров обладает недостаточным объемом для размещения программы, то многие отладочные платформы используют расширенный режим работы МК с подключением внешнего ОЗУ. В МК семейства HCS12 для целей отладки обычно используется внутреннее Flash ПЗУ программ, т.к. 10000 циклов перезаписи обычно достаточно для внесения всех исправлений в процессе отладки.
Пример примененияВ процессе эксплуатации память типа EEPROM часто используют для создания счетчиков аварийных ситуаций на объекте. Возможные аварии предварительно классифицируются, в системе устанавливаются датчики, которые позволяют микроконтроллеру отнести возникшую аварийную ситуацию к тому или иному типу. Если тип аварии диагностирован, то МК увеличивает соответствующий счетчик и запоминает его новое состояние в энергонезависимой памяти данных типа EEPROM. Такое решение позволяет сохранить информацию об авариях даже при отключении системы питания.
4.7.1. Карта памяти МК B32
Карта памяти МК определяет, по каким адресам в конкретной модели МК расположены блоки памяти. Процессорное ядро HC12 позволяет линейно адресовать 64К слов памяти. Поскольку МК 68HC12 используют однобайтовые ячейки памяти, то получается, что при линейной адресации в МК семейства 68HC12 адресуют 64 Кб памяти. Определение «линейная адресация» означает, что в любой момент времени без применения дополнительных команд МК может обратиться к ячейке памяти с любым адресом из диапазона $0000…$FFFF.
Карта памяти МК B32 приведена на рис. 4.11. Резидентная память (т.е. память, расположенная на кристалле МК) включает четыре блока памяти: 512 байт регистров специальных функций для управления периферийными модулями, 1 Кб оперативного запоминающего устройства для хранения промежуточных результатов вычислений, 768 байт энергонезависимой памяти типа EEPROM с побайтным стиранием и побайтным программирования для хранения уставок программы пользователя, 32 Кб энергонезависимой Flash памяти для размещения прикладной программы пользователя. На рис. 4.11 карта памяти учитывает особенности размещения резидентной программы отладки D-Bug12 при работе МК в составе платы отладки MC68HC912B32EVB:
• $8000…$F600 — код программы отладчика D-Bug12;
• $F680…$F6BF — область пользователя;
• $F6C0…$F6FF — область D-Bug12;
• $F700…$F77F — код запуска D-Bug12;
• $F780…$F7FF — таблица векторов для режима отладки;
• $F800…$FBFF — зарезервированная разработчиком область;
• $FC00…$FFBF — код программы загрузчика в EEPROM;
• $FFC0…$FFFF — вектора сброса и прерывания.
Из представленного распределения адресного пространства МК в составе платы отладки видно, что код программы отладчика занимает практически всю область Flash ПЗУ, которая в реальных проектах предназначается для прикладной программы управления. А где же предполагается размещать отлаживаемую программу? Ответ на этот вопрос Вы найдете в параграфе 4.3.1.
4.7.2. Изменение адресов в карте памяти МК
Внимательно проанализировав распределение адресного пространства в карте памяти МК, можно заметить, что часть доступного адресного пространства не используется резидентной памятью микроконтроллера. Так в МК B32 (рис. 4.11) в диапазоне адресов $01FF…$0800, $0BFF…$0D00 и $0FFF…$8000 память отсутствует. Именно это незанятое адресное пространство может быть использовано для подключения внешней памяти в расширенных режимах работы МК. В процессе подключения внешней памяти может оказаться, что отдельные блоки внутренней памяти МК желательно «переместить» в пределах адресного пространства МК. Тогда схемотехника подключения внешней памяти упростится. Для назначения новых, виртуальных адресов блоков резидентной памяти МК предназначены три регистра специальных функций:
• INITRG — регистр базового адреса блока регистров специальных функций;
• INITRM — регистр базового адреса блока ОЗУ;
• INITEE — регистр базового адреса блока EEPROM.
В состоянии сброса МК эти регистры указывают на реальные, физические адреса перечисленных блоков памяти. Назначение виртуальных адресов блоков обычно происходит на начальном этапе выполнения программы в секции инициализации.
4.8. Подсистема памяти МК DP256
Карта памяти для МК DP256 приведена на рис. 4.12. Расположение различных модулей памяти в адресном пространстве МК чрезвычайно похоже на рассмотренный ранее МК B32. Основное отличие подсистемы памяти DP256 от B32 — это наличие системы страничной адресации, которая позволяет обращаться к более чем 64 Кб памяти с использованием 16 разрядной магистрали адреса. Объем резидентной памяти МК DP256 составляет 256 Кб. Модули резидентного ОЗУ, EEPROM и регистры специальных функций доступны, как и ранее, с использованием обычной адресации в пределах 64 Кб (см. рис. 4.12). Основная часть ПЗУ программ разделена на страницы по 16 Кб, причем каждая из страниц может отображаться на одном и том же адресном пространстве $8000–$BFFF. Выбор конкретной страницы осуществляется занесением под управлением программы ее кода в специальный регистр. Поэтому частое переключение между страницами программной памяти замедляет исполнение программы.
Рис. 4.12. Карта памяти МК семейства HCS12 DP256
Вопросы для самопроверки1. Каков объем Flash памяти программ МК B32?
Ответ: 32 Кб.
2. Как занести программу пользователя во Flash-память МК B32, установленного на отладочной плате M68EVB912B32?
Ответ: Для этого может быть использована программа загрузчика, которая поместит программу пользователя в область EEPROM, начиная с адреса $D000, или в область Flash ПЗУ начиная с адреса $8000. Однако в последнем случае программа монитора отладки D-Bug12 будет потеряна.
3. Сколько раз можно перепрограммировать резидентное Flash ПЗУ программ МК?
Ответ: 100 раз в МК семейства 68HC12 и 10000 раз в МК семейства HCS12.
4. Сколько раз можно перезаписать данные в энергонезависимой памяти данных типа EEPROM?
Ответ: гарантированное число циклов стирания/программирования резидентной энергонезависимой памяти данных равно 10000. На практике это число значительно больше.
4.9. Состояния сброса и прерывания МК
В процессе исполнения прикладной программы МК реализует монотонную многократно повторяющуюся последовательность действий:
• Выборку кода команды из памяти программ в регистр команды центрального процессора;
• Дешифрацию кода команды;
• Выборку из памяти следующих байтов команды;
• Исполнение команды;
• Сохранение в памяти результатов исполнения команды.
Если исполняется линейная последовательность команд, то содержимое счетчика PC центрального процессора постоянно увеличивается на 1, обеспечивая выборку из памяти следующих команд прикладной программы. Линейная последовательность исполняемых команд может быть изменена под управлением самой программы, например инструкциями «jmp» или «branch». При этом в счетчик команд под управлением программы будет записано новое число, и начнется исполнение следующего линейного фрагмента программы из другого сегмента памяти программ. Несмотря на явные различия механизмов формирования следующего за исполнением текущей операции значения счетчика команд PC, в обоих рассмотренных случаях это следующее значение PC определяется ходом вычислительного процесса и предсказывается программистом в ходе написания прикладной программы.
В противоположность только что рассмотренному полностью предсказуемому потоку событий, который формируется самой микропроцессорной системой, существует еще поток внешних событий, очередность и моменты возникновения которых не синхронизированы с исполнением центральным процессором тех или иных команд прикладной программы. Однако МК должен реагировать на эти события, для чего необходимо изменить последовательность исполнения операторов программы в произвольный, непредсказуемый с точки зрения устройства управления центральным процессором момент времени. Такое изменение реализуется принудительной записью нового значения в счетчик команд PC под управлением специальных аппаратных средств микроконтроллера, которые реагируют на внешние события. Включение в работу механизма принудительного изменения текущего значения счетчика команд нельзя считать аварийным состоянием микропроцессорной системы. Это лишь специальное состояние, которое позволяет организовать эффективное распределение ресурса одного центрального процессора для обслуживания нескольких устройств, генерирующих в реальном времени несвязанные между собой внешние события.
Встроенный в МК механизм реагирования на внешние события авторы данной книги именуют исключениями, поскольку внешние события нарушают нормальную, назначенную программистом последовательность исполнения команд. По способу обработки микроконтроллером исключения подразделяются на прерывания и сброс. В русскоязычной литературе термин «исключение» обычно не используется, и говорят просто о состоянии прерывания или о состоянии сброса микроконтроллера (примечание переводчика). Сохраняя оригинальный стиль авторов, далее в книге будем использовать термин «исключение».
4.9.1. Реакция МК на внешние события
Рассматривая далее технические особенности подсистемы прерывания МК семейства 68HC12/HCS12, мы должны обсудить общие для всех микропроцессорных систем алгоритмы обработки прерываний:
• Каждое событие, на которое микропроцессорная система должна реагировать с использованием механизма прерывания, называется запросом на прерывание. Последовательность команд, которая должна быть исполнена при возникновении запроса на прерывание, называется подпрограммой прерывания ISR (Interrupt Service Routing). При возникновении запроса на прерывание текущая исполняемая программа, которую в русскоязычной литературе называют фоновой, должна быть приостановлена для выполнения подпрограммы прерывания ISR. По завершении последней исполнение фоновой программы должно быть продолжено.
• В момент приостанова исполнения фоновой программы, содержимое всех регистров центрального процессора должно быть сохранено в специальной области ОЗУ, которая называется «стек». В составе центрального процессора обязательно имеется регистр «указатель стека SP», который содержит адрес области памяти, в которой сохранили значения остальных регистров центрального процессора. По завершении исполнения подпрограммы прерывания этот адрес будет использован для восстановления значений регистров центрального процессора из стека, чтобы далее продолжить исполнение фоновой программы.
• Аппаратный флаг, который был установлен внешним событием для генерации запроса на прерывание, должен быть обязательно сброшен до завершения исполнения подпрограммы прерывания ISR. Если этого не будет сделано, то МК снова перейдет к исполнению подпрограммы прерывания. Таким образом, реакция МК на один и тот же запрос может получиться многократной, что не предусматривается алгоритмом управления.
• После завершения выполнения подпрограммы прерывания, содержимое счетчика команд и всех регистров центрального процессора восстанавливается из стека. В результате, исполнение фоновой программы возобновляется с того оператора, на котором она была приостановлена.
• Сразу после начального запуска МК должен выполнить процедуры инициализации (начальной установки), которые позволят настроить подсистему прерывания микроконтроллера необходимым образом. И лишь после этого можно разрешать обработку прерываний в микроконтроллере.
Отметив эти общие свойства подсистемы прерывания, обратимся к более подробному рассмотрению последней в МК семейства 68HC12/HCS12.
4.10. Состояния сброса и прерывания в МК 68HC12